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メモリも三次元に!Samsungが発表した「V-NAND」でフラッシュメモリの時代が明ける

ソースURL:http://pc.watch.impress.co.jp/...

サンタクララで開催された半導体のカンファレンスFlash Memory Summitで、サムスンがV-NAND(3D NAND)を発表しました。SDカードやSSDに使われるフラッシュメモリは、これまで敷き詰める密度を高めることで容量を増やしてきました。しかし、最近はそれも限界に来ています。詰め込みすぎて、となりの部屋の住人がティッシュを取る「シュッ」という音が聞こえるレベル。そこで、「平屋に詰め込むのが限界なら高層マンションにすればいいじゃない!」と、高さ方向に積むことにしたのがこの3D NAND。もちろん、サムスンの他にも東芝などが開発中の技術ですが、サムスンは実機デモをしていて量産が間近の模様。SSDはHDDに比べて容量あたりの単価が高いのが悩みでしたが、さらなる大容量化にはずみがつきそうです。(PC Watch)

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コメント

  • コメント (1)

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    • 匿名
    • 2013年 8月 20日

    開発で負けたら特殊イベント無い限り終わりでしょう。日本メーカ頑張れよ。




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